William Bradford Shockley
Físico estadounidense
William Shockley nació el 13 de febrero de 1910 en Londres.
Hijo de estadounidenses, cuando contaba tres años, se trasladó junto a su familia a Palo Alto, California. Su padre era ingeniero y su madre topógrafa de minas.
No fue a la escuela hasta que cumplió 8 años.
En el otoño de 1927, ingresó a la Universidad de California en Los Ángeles, y un año después, al prestigioso Instituto de Tecnología de California (Cal Tech), en Pasadena. Terminó su licenciatura en física en 1932 y, posteriormente, obtuvo una beca para estudiar en el Instituto Tecnológico de Massachusetts (MIT), donde se doctoró en 1936.
Trabajó en los laboratorios de la Compañía Bell de 1936 a 1956. Fue director de la Shockley Transistor Corporation.
Dio conferencias en la Universidad Stanford desde 1958 y clases de ingeniería en 1963.
Investigó sobre los semiconductores, lo que lo llevó al desarrollo del transistor en el año 1948.
Recibió en 1956 el Premio Nobel de Física por sus investigaciones acerca de los semiconductores y el descubrimiento del efecto transistor, que compartió con sus asociados John Bardeen y Walter H. Brattain. Hizo además varias aportaciones a la electrónica y campos afines, y llegó a acumular más de 90 patentes a lo largo de su vida.
En sus ratos libres, gustaba del alpinismo y llegó a escalar algunas de las montañas más elevadas de los Alpes, incluyendo la Jungfrau y el Mt. Blanc (con su hija Alison en 1953).
William Shockley falleció el 12 de agosto de 1989 de cáncer de próstata en su casa en el campus de Stanford a los 79 años de edad.
